GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB10SLT12-252
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect. |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GB10SLT12-252 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.