GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor


GB20SLT12-247-1568221.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 20A, Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції GB20SLT12-247

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.