GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9479.41 грн |
| 10+ | 8710.71 грн |
| 30+ | 7364.63 грн |
| 100+ | 7273.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1200V 200A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB2X100MPS12-227 за ціною від 9762.2 грн до 18965.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: SIC DIODE 1200V 200A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 100A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 800A Electrical mounting: screw Max. load current: 200A Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
товар відсутній |
|||||
|
|
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
товар відсутній |
|||||
|
|
GB2X100MPS12-227 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 100A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 800A Electrical mounting: screw Max. load current: 200A Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns |
товар відсутній |