Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GB2X100MPS12-227
GB2X100MPS12-227

GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor

GB2X100MPS12-227.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9777.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - GB2X100MPS12-227 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 796nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 370A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції GB2X100MPS12-227 за ціною від 9624.08 грн до 19827.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 Виробник : GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12_227-3479539.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10473.37 грн
10+9624.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 Виробник : GENESIC 2720486.pdf Description: GENESIC - GB2X100MPS12-227 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 796nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 370A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15631.09 грн
5+14068.47 грн
10+12915.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 Виробник : GeneSiC Semiconductor gb2x100mps12-227.pdf Silicon Carbide Power
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+19827.62 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 Виробник : GeneSiC Semiconductor gb2x100mps12-227.pdf Silicon Carbide Power
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X100MPS12-227.pdf GB2X100MPS12-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 Виробник : GeneSiC Semiconductor gb2x100mps12-227.pdf Silicon Carbide Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 Виробник : GeneSiC Semiconductor gb2x100mps12-227.pdf Silicon Carbide Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.