GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB2X100MPS12-227 за ціною від 9242.70 грн до 10058.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GB2X100MPS12-227 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10058.33 грн |
| 10+ | 9242.70 грн |