GB50SLT12-247

GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor


GB50SLT12-247.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 50A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.5V, Max. forward impulse current: 0.4kA, Kind of package: tube.

Інші пропозиції GB50SLT12-247

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GB50SLT12-247 Виробник : GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247-220352.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A SiC POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247 Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B860C7&compId=GB50SLT12-247.pdf?ci_sign=a4aa72e47928a4f11fd91a5094cfb7da466cef2f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.