GBI10M Diotec Semiconductor
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 86.84 грн |
| 10+ | 57.82 грн |
| 100+ | 34.57 грн |
| 500+ | 26.72 грн |
| 1000+ | 25.36 грн |
| 2500+ | 22.87 грн |
| 5000+ | 22.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBI10M Diotec Semiconductor
Description: BRIDGE 1-PH GBI 1000V 10A 150DEG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBI, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBI, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBI10M за ціною від 30.67 грн до 110.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBI10M | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Description: BRIDGE 1-PH GBI 1000V 10A 150DEGPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBI Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBI Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| GBI10M | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
GBI10M-DIO Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 382 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|