на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.95 грн |
| 10+ | 166.47 грн |
| 105+ | 86.22 грн |
| 510+ | 85.43 грн |
| 1005+ | 65.42 грн |
| 2505+ | 59.40 грн |
| 5010+ | 56.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBI25J-LX-T Diotec Semiconductor
Description: GBI25J-LX-T, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBI, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBI, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 4.2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBI25J-LX-T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBI25J-LX-T | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Description: GBI25J-LX-TPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBI Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBI Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 4.2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |