
GBJ10D DC COMPONENTS

Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 210A
Case: GBJ4-10
Max. forward voltage: 1.1V
Electrical mounting: THT
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Leads: flat pin
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 17.78 грн |
25+ | 15.72 грн |
27+ | 15.09 грн |
61+ | 15.01 грн |
100+ | 14.38 грн |
500+ | 13.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ10D DC COMPONENTS
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 10A, Features of semiconductor devices: glass passivated, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 210A, Case: GBJ4-10, Max. forward voltage: 1.1V, Electrical mounting: THT, Version: flat, Type of bridge rectifier: single-phase, Leads: flat pin, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GBJ10D за ціною від 16.51 грн до 19.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBJ10D | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tube Max. forward impulse current: 210A Case: GBJ4-10 Max. forward voltage: 1.1V Electrical mounting: THT Version: flat Type of bridge rectifier: single-phase Leads: flat pin кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 876 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |