GBJ10D DC COMPONENTS
Виробник: DC COMPONENTSCategory: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 210A
Case: GBJ4-10
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Version: flat
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 10A
Leads: flat pin
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 15.97 грн |
| 29+ | 14.34 грн |
| 30+ | 14.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ10D DC COMPONENTS
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A, Max. off-state voltage: 200V, Max. forward impulse current: 210A, Case: GBJ4-10, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: glass passivated, Type of bridge rectifier: single-phase, Electrical mounting: THT, Version: flat, Max. forward voltage: 1.1V, Load current: 10A, Leads: flat pin, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GBJ10D за ціною від 16.81 грн до 19.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GBJ10D | Виробник : DC COMPONENTS |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 210A Case: GBJ4-10 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: glass passivated Type of bridge rectifier: single-phase Electrical mounting: THT Version: flat Max. forward voltage: 1.1V Load current: 10A Leads: flat pin кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 755 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
||||||||||
| GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 200V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |