
GBJ10D DC COMPONENTS

Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A
Kind of package: tube
Case: GBJ4-10
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 210A
Max. off-state voltage: 200V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Leads: flat pin
Version: flat
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 16.97 грн |
26+ | 15.29 грн |
27+ | 14.66 грн |
100+ | 14.03 грн |
173+ | 13.95 грн |
500+ | 13.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ10D DC COMPONENTS
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A, Kind of package: tube, Case: GBJ4-10, Type of bridge rectifier: single-phase, Electrical mounting: THT, Load current: 10A, Max. forward voltage: 1.1V, Max. forward impulse current: 210A, Max. off-state voltage: 200V, Features of semiconductor devices: glass passivated, Leads: flat pin, Version: flat, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GBJ10D за ціною від 16.07 грн до 20.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBJ10D | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A Kind of package: tube Case: GBJ4-10 Type of bridge rectifier: single-phase Electrical mounting: THT Load current: 10A Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 210A Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: glass passivated Leads: flat pin Version: flat кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 824 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
GBJ10D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |