на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.38 грн |
38+ | 28.53 грн |
104+ | 26.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ10J DC COMPONENTS
Description: 600V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBJ10J
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBJ10J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBJ10J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
GBJ10J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
||
![]() |
GBJ10J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |