
GBJ10J DC COMPONENTS

Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 210A
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: GBJ4-10
Leads: flat pin
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: tube
Version: flat
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 46.36 грн |
16+ | 25.99 грн |
20+ | 20.97 грн |
46+ | 20.65 грн |
100+ | 18.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ10J DC COMPONENTS
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 210A, Electrical mounting: THT, Type of bridge rectifier: single-phase, Case: GBJ4-10, Leads: flat pin, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward voltage: 1.1V, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 210A, Kind of package: tube, Version: flat, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GBJ10J за ціною від 22.58 грн до 55.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBJ10J | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 210A Electrical mounting: THT Type of bridge rectifier: single-phase Case: GBJ4-10 Leads: flat pin Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 10A Max. forward impulse current: 210A Kind of package: tube Version: flat Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
GBJ10J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
GBJ10J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
GBJ10J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
GBJ10J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |