
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.01 грн |
10+ | 141.87 грн |
105+ | 98.69 грн |
510+ | 87.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ2008-F Diodes Incorporated
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 20A; Ifsm: 240A, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 0.8kV, Load current: 20A, Max. forward impulse current: 0.24kA, Version: flat, Electrical mounting: THT, Leads: flat pin, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1.05V, Features of semiconductor devices: glass passivated, Case: GBJ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GBJ2008-F за ціною від 55.82 грн до 200.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBJ2008-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 20 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 6545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
GBJ2008-F | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GBJ2008-F | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
GBJ2008-F | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
GBJ2008-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 20A; Ifsm: 240A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 20A Max. forward impulse current: 0.24kA Version: flat Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.05V Features of semiconductor devices: glass passivated Case: GBJ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
GBJ2008-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 20A; Ifsm: 240A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 20A Max. forward impulse current: 0.24kA Version: flat Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.05V Features of semiconductor devices: glass passivated Case: GBJ |
товару немає в наявності |