на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.52 грн |
| 10+ | 154.10 грн |
| 105+ | 97.86 грн |
| 510+ | 82.05 грн |
| 1005+ | 70.46 грн |
| 2505+ | 66.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ2501-06-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4.2A GBJ, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 4.2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції GBJ2501-06-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBJ2501-06-G | Виробник : Comchip Technology |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4.2A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 4.2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |