Технічний опис GBJ2508 EIC
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ, Packaging: Tube, Package / Case: 4-ESIP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції GBJ2508
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBJ2508 | Виробник : Lite-On Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
GBJ2508 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
GBJ2508 | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-ESIP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBJ2508 | Виробник : EVVO |
![]() Packaging: Box Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBJ2508 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |