GBJ25G GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.81 грн |
| 10+ | 129.13 грн |
| 25+ | 100.55 грн |
| 100+ | 86.60 грн |
| 200+ | 73.24 грн |
| 600+ | 69.50 грн |
| 1000+ | 63.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ25G GeneSiC Semiconductor
Description: 400V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.
Інші пропозиції GBJ25G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBJ25G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Rectifier Bridge Diode Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ |
товару немає в наявності |
|
| GBJ25G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 400V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |