GBJ25M GeneSiC Semiconductor
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.58 грн |
| 10+ | 127.45 грн |
| 25+ | 98.81 грн |
| 100+ | 83.45 грн |
| 200+ | 74.11 грн |
| 600+ | 67.43 грн |
| 1000+ | 62.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ25M GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBJ25M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBJ25M | Виробник : Good-Ark |
 Rectifier Bridge Diode Single 1KV 3.5A 4-Pin Case GBJ |
товар відсутній |
|
 |
GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товар відсутній |
|
| GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товар відсутній |
||
| GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDG Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |