GBJ25M GeneSiC Semiconductor
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.86 грн |
| 10+ | 134.37 грн |
| 25+ | 104.62 грн |
| 100+ | 87.82 грн |
| 200+ | 78.66 грн |
| 600+ | 72.32 грн |
| 1000+ | 66.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ25M GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBJ25M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBJ25M | Виробник : Good-Ark |
 Rectifier Bridge Diode Single 1KV 3.5A 4-Pin Case GBJ |
товару немає в наявності |
|
 |
GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
|
| GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
||
| GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |