GBJ35M GeneSiC Semiconductor
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.90 грн |
| 10+ | 188.67 грн |
| 25+ | 150.08 грн |
| 100+ | 130.22 грн |
| 200+ | 100.05 грн |
| 2600+ | 97.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ35M GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBJ35M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GBJ35M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
товару немає в наявності |
||
| GBJ35M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 1000V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDG Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |