GBJ5010 MDD
Виробник: MDDDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBJ
Packaging: Box
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 156.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ5010 MDD
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBJ, Packaging: Box, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBJ5010 за ціною від 49.20 грн до 49.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBJ5010 | Виробник : Microdiode Electronics |
Bridge Diode |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
GBJ5010 Код товару: 202137
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки |
товару немає в наявності
|