GBL01E-E3/P Vishay General Semiconductor
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.87 грн |
| 10+ | 97.06 грн |
| 100+ | 65.83 грн |
| 500+ | 55.78 грн |
| 1000+ | 45.36 грн |
| 2000+ | 42.71 грн |
| 5000+ | 40.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL01E-E3/P Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 2.6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції GBL01E-E3/P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GBL01E-E3/P | Виробник : Vishay |
 Diode Rectifier Bridge Single 100V 2.6A 4-Pin Case GBL Tube |
товару немає в наявності |
||
| GBL01E-E3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 2.6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |