Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR > GBL01E-E3/P
GBL01E-E3/P

GBL01E-E3/P Vishay General Semiconductor


Виробник: Vishay General Semiconductor
Bridge Rectifiers 4A,100V,GPP,INLINE BRIDGE
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.32 грн
10+80.71 грн
100+55.49 грн
500+44.23 грн
1000+41.28 грн
2000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GBL01E-E3/P Vishay General Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 2.6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.

Інші пропозиції GBL01E-E3/P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GBL01E-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2.6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01E-E3/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2.6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.