GBL02-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 161.16 грн |
10+ | 99.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL02-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції GBL02-E3/51
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
GBL02-E3/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |