
GBL02 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 382.73 грн |
10+ | 315.65 грн |
25+ | 256.87 грн |
100+ | 230.45 грн |
250+ | 215.04 грн |
500+ | 203.29 грн |
1000+ | 181.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL02 GeneSiC Semiconductor
Description: 4A, 200V, STANDARD BRIDGE RECTIF, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції GBL02
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
GBL02 |
![]() |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
GBL02 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBL02 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |