GBL06E-E3/P Vishay General Semiconductor
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.23 грн |
| 10+ | 101.53 грн |
| 100+ | 59.54 грн |
| 500+ | 47.46 грн |
| 1000+ | 43.62 грн |
| 2000+ | 40.90 грн |
| 5000+ | 38.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL06E-E3/P Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBL06E-E3/P за ціною від 47.48 грн до 165.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBL06E-E3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBLPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|