GBL08-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL08-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: GBL, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-SIP, GBL, Packaging: Tray.
Інші пропозиції GBL08-M3/51
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GBL08-M3/51 | Vishay General Semiconductor |
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. |
| GBL08-M3/51 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику
од. на суму грн.