GBL08E-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io): 2.6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.05 грн |
| 20+ | 70.39 грн |
| 100+ | 64.67 грн |
| 500+ | 52.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL08E-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Average Rectified (Io): 2.6 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Supplier Device Package: GBL, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-SIP, GBL, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції GBL08E-E3/P за ціною від 35.47 грн до 180.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBL08E-E3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 8437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GBL08E-E3/P | Виробник : Vishay Semiconductors |
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|