Технічний опис GBL08E-E3/P Vishay
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Average Rectified (Io): 2.6 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Supplier Device Package: GBL, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-SIP, GBL, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції GBL08E-E3/P за ціною від 51.40 грн до 125.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GBL08E-E3/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBLCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Average Rectified (Io): 2.6 A Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Supplier Device Package: GBL Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, GBL Packaging: Bulk |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
GBL08E-E3/P | Vishay General Semiconductor |
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 8437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
GBL08E-E3/P | Vishay Semiconductors |
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GBL08E-E3/P |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io): 2.6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Bulk
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io): 2.6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.47 грн |
| 20+ | 68.97 грн |
| 100+ | 63.37 грн |
| 500+ | 51.40 грн |
| GBL08E-E3/P |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GBL08E-E3/P |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




