на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 380+ | 32.08 грн |
| 407+ | 29.91 грн |
| 500+ | 27.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL08E-E3/P Vishay
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 2.6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції GBL08E-E3/P за ціною від 23.03 грн до 130.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GBL08E-E3/P | Виробник : Vishay |
 Diode Rectifier Bridge Single 800V 2.6A 4-Pin Case GBL Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GBL08E-E3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2.6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GBL08E-E3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GBL08E-E3/P | Виробник : Vishay |
Rectifier Bridge Diode Single 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE |
товару немає в наявності |