GBL08H Taiwan Semiconductor Corporation

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.91 грн |
10+ | 70.41 грн |
100+ | 46.86 грн |
500+ | 34.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL08H Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції GBL08H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBL08H | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |