GBL10E-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.44 грн |
| 10+ | 107.81 грн |
| 100+ | 73.52 грн |
| 500+ | 55.23 грн |
| 1000+ | 50.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL10E-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBL10E-E3/P за ціною від 43.42 грн до 181.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBL10E-E3/P | Vishay Semiconductors |
Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 13305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GBL10E-E3/P |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE
Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE
на замовлення 13305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.73 грн |
| 10+ | 115.10 грн |
| 100+ | 68.51 грн |
| 500+ | 54.55 грн |
| 1000+ | 50.11 грн |
| 2000+ | 48.56 грн |
| 5000+ | 43.42 грн |