GBL10E-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.97 грн |
| 10+ | 108.52 грн |
| 50+ | 82.45 грн |
| 100+ | 69.46 грн |
| 500+ | 55.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL10E-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBL10E-E3/P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBL10E-E3/P | Vishay Semiconductors |
Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 11305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GBL10E-E3/P |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE
Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)