на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 55.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL10E-E3/P Vishay
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBL10E-E3/P за ціною від 41.30 грн до 163.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBL10E-E3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor |
 Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 24784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GBL10E-E3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GBL10E-E3/P | Виробник : Vishay |
Rectifier Bridge Diode Single 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |