
GBL210 Yangjie Technology

Description: 2KBJ 1000V 2.0A Diodes Bridge
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1320+ | 16.59 грн |
6600+ | 15.14 грн |
13200+ | 14.22 грн |
26400+ | 12.48 грн |
52800+ | 11.26 грн |
132000+ | 10.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL210 Yangjie Technology
Description: 2KBJ 1000V 2.0A Diodes Bridge, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBL210
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBL210 | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBL210 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
GBL210 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |