
GBP308 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 64.71 грн |
10+ | 55.89 грн |
25+ | 43.09 грн |
100+ | 37.58 грн |
250+ | 32.67 грн |
500+ | 27.77 грн |
700+ | 22.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBP308 GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBP, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції GBP308 за ціною від 8.68 грн до 71.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBP308 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBP Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 5565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
GBP308 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GBP308 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GBP308 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GBP308 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
GBP308 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |