
GBPC1202W-E4/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 403.40 грн |
10+ | 334.18 грн |
100+ | 226.59 грн |
200+ | 196.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC1202W-E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Square, GBPC-W, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-W, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 12 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції GBPC1202W-E4/51
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
GBPC1202W-E4/51 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
GBPC1202W-E4/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 12 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |