GBPC1206W-E4/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 340.29 грн |
| 10+ | 311.69 грн |
| 100+ | 220.42 грн |
| 200+ | 176.47 грн |
| 500+ | 167.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC1206W-E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 12A GBPC-W, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Square, GBPC-W, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-W, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 12 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBPC1206W-E4/51 за ціною від 278.65 грн до 344.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBPC1206W-E4/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1P 600V 12A GBPC-WPackaging: Bulk Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 12 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|