GBPC1206W-E4/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.80 грн |
| 10+ | 276.34 грн |
| 100+ | 172.63 грн |
| 500+ | 145.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC1206W-E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 12A GBPC-W, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Square, GBPC-W, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-W, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 12 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBPC1206W-E4/51 за ціною від 208.22 грн до 447.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBPC1206W-E4/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1P 600V 12A GBPC-WPackaging: Bulk Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 12 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|