GBPC35010T GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Supplier Device Package: GBPC
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, GBPC
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC35010T GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Supplier Device Package: GBPC, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: QC Terminal, Package / Case: 4-Square, GBPC, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції GBPC35010T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GBPC35010T | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 1000 V - 35 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| GBPC35010T |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000 V - 35 A
Bridge Rectifiers 1000 V - 35 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.