GBPC3506M Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.72 грн |
| 10+ | 219.23 грн |
| 100+ | 130.54 грн |
| 500+ | 115.35 грн |
| 1000+ | 114.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC3506M Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-M, Packaging: Tray, Package / Case: 4-Square, GBPC-M, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-M, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBPC3506M за ціною від 166.14 грн до 364.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBPC3506M | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-MPackaging: Tray Package / Case: 4-Square, GBPC-M Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-M Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|