GBPC3508M Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.72 грн |
| 10+ | 229.55 грн |
| 100+ | 129.85 грн |
| 500+ | 115.35 грн |
| 1000+ | 114.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC3508M Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-M, Packaging: Tray, Package / Case: 4-Square, GBPC-M, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-M, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції GBPC3508M за ціною від 166.14 грн до 364.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBPC3508M | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-MPackaging: Tray Package / Case: 4-Square, GBPC-M Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-M Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|