GBPC3508T GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: QC Terminal
Package / Case: 4-Square, GBPC
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC3508T GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC, Packaging: Bulk, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: GBPC, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: QC Terminal, Package / Case: 4-Square, GBPC.
Інші пропозиції GBPC3508T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBPC3508T | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| GBPC3508T |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.