
GBPC3510M Taiwan Semiconductor Corporation

Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC-M
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 348.53 грн |
10+ | 222.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC3510M Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-M, Packaging: Tray, Package / Case: 4-Square, GBPC-M, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-M, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBPC3510M
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBPC3510M | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |