GBPC3510W-G Comchip Technology
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 400.31 грн |
| 10+ | 263.60 грн |
| 100+ | 164.92 грн |
| 500+ | 136.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC3510W-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W, Packaging: Tray, Package / Case: 4-Square, GBPC-W, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-W, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBPC3510W-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBPC3510W-G | Виробник : Comchip Technology |
 Diode Rectifier Bridge Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W Tray |
товару немає в наявності |
|
| GBPC3510W-G | Виробник : Comchip |
1000V, 35A Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
GBPC3510W-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W Packaging: Tray Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |