GBPC5010M Taiwan Semiconductor
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 400.82 грн |
| 10+ | 247.04 грн |
| 200+ | 165.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC5010M Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPC, Packaging: Tray, Package / Case: 4-Square, GBPC, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBPC5010M за ціною від 215.49 грн до 411.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBPC5010M | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPCPackaging: Tray Package / Case: 4-Square, GBPC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|