GBS4B Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec SemiconductorBridge Rectifiers Bridge, single phase, GBS_SIL-1.5-2.3, 100V, 4A, 150C
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.36 грн |
| 10+ | 79.12 грн |
| 100+ | 45.71 грн |
| 500+ | 36.24 грн |
| 1000+ | 30.25 грн |
| 2500+ | 29.56 грн |
| 5000+ | 28.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBS4B Diotec Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 2.3A 4-SIL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-ESIP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: 4-SIL, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 2.3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції GBS4B за ціною від 38.52 грн до 153.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBS4B | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 2.3A 4-SIL Packaging: Bulk Package / Case: 4-ESIP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: 4-SIL Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| GBS4B | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
GBS4B-DIO Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 344 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|