
GBS4J Diotec Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1P 600V 2.3A 4-SIL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.10 грн |
10+ | 80.62 грн |
100+ | 54.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBS4J Diotec Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 2.3A 4-SIL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-ESIP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: 4-SIL, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 2.3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBS4J за ціною від 39.36 грн до 87.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GBS4J | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 491 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
GBS4J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |