Технічний опис GBU1003 Taiwan Semiconductor
Description: 10A, 200V, STANDARD BRIDGE RECTI, Packaging: Tube, Package / Case: 4-ESIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції GBU1003
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBU1003 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBU1003 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-ESIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBU1003 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |