
GBU1006H Taiwan Semiconductor Corporation

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.43 грн |
10+ | 88.89 грн |
100+ | 60.06 грн |
500+ | 44.75 грн |
1000+ | 41.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBU1006H Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU, Packaging: Tube, Package / Case: 4-ESIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції GBU1006H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBU1006H | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |