
GBU2507 Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE BRIDGE 25A 1000V GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 104.40 грн |
20+ | 82.09 грн |
100+ | 63.86 грн |
500+ | 50.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBU2507 Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 25A 1000V GBU, Packaging: Tube, Package / Case: 4-ESIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBU2507
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBU2507 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBU2507 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |