GBU801HD2G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBU801HD2G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Average Rectified (Io): 8 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: GBU, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-SIP, GBU, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GBU801HD2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBU801HD2G | Taiwan Semiconductor |
Bridge Rectifiers 8A 50V Standard Bridge Rectif |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GBU801HD2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 8A 50V Standard Bridge Rectif
Bridge Rectifiers 8A 50V Standard Bridge Rectif
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.