GBU803 Taiwan Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.75 грн |
| 10+ | 72 грн |
| 100+ | 48.74 грн |
| 500+ | 41.33 грн |
| 1000+ | 33.66 грн |
| 2000+ | 31.71 грн |
| 5000+ | 30.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBU803 Taiwan Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 8A 200V GBU, Packaging: Tube, Package / Case: 4-ESIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 8 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції GBU803
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GBU803 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode Rectifier Bridge Single 200V 8A 4-Pin Case GBU |
товар відсутній |
||
 |
GBU803 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE BRIDGE 8A 200V GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-ESIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |