GC02MPS12-220

GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 8nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції GC02MPS12-220 за ціною від 90.96 грн до 212.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.44 грн
5+107.25 грн
12+99.48 грн
25+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC02MPS12_220-2449250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.40 грн
10+156.03 грн
25+128.10 грн
100+117.49 грн
250+111.42 грн
500+106.12 грн
1000+101.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 Виробник : GENESIC GCSR-S-A0017462424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+212.57 грн
10+198.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.