GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1927.55 грн |
| 10+ | 1729.23 грн |
| 25+ | 1448.41 грн |
| 100+ | 1383.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 5A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-263-7, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V.
Інші пропозиції GC05MPS33J за ціною від 1118.11 грн до 1595.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GC05MPS33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 5A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V |
на замовлення 1662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|