Технічний опис GC060N65QF Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247, Case: TO247, Technology: SJ-MOSFET, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Gate charge: 128nC, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 50A, Power dissipation: 388W, Drain-source voltage: 650V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції GC060N65QF за ціною від 230.30 грн до 230.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GC060N65QF | GOFORD Semiconductor |
 GC060N65QF |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GC060N65QF |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
GC060N65QF
GC060N65QF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 900+ | 230.30 грн |