GC060N65QF Goford Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 900+ | 161.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC060N65QF Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 50A, Case: TO247, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 388W, Technology: SJ-MOSFET, Gate charge: 128nC.
Інші пропозиції GC060N65QF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GC060N65QF | Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50A Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 388W Technology: SJ-MOSFET Gate charge: 128nC |
товару немає в наявності |