GC08MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 588.67 грн |
5+ | 514.71 грн |
10+ | 426.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC08MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 33nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції GC08MPS12-220
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GC08MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
GC08MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||
GC08MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||
GC08MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||
GC08MPS12-220 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube Mounting: THT Load current: 8A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 60A Max. forward voltage: 1.5V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||
GC08MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
||
GC08MPS12-220 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube Mounting: THT Load current: 8A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 60A Max. forward voltage: 1.5V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV |
товар відсутній |