GC08MPS12-220

GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor


gc08mps12-220.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+217.69 грн
59+209.39 грн
100+202.28 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 33nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції GC08MPS12-220 за ціною від 484.92 грн до 519.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+519.50 грн
5+484.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC08MPS12_220-2449830.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf GC08MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.