GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 284.96 грн |
| 45+ | 272.72 грн |
| 50+ | 262.33 грн |
| 100+ | 244.38 грн |
| 250+ | 219.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC10MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 54 A, 40 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 40nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GC10MPS12-220 за ціною від 289.16 грн до 867.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GC10MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GC10MPS12-220 | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC10MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 54 A, 40 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 40nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GC10MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 36A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
GC10MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
GC10MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| GC10MPS12-220 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC10MPS12-220 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
GC10MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 54A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |