GC11N65D5 Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 48.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC11N65D5 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; DFN5x6-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11A, Power dissipation: 78W, Case: DFN5x6-8, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 21nC.
Інші пропозиції GC11N65D5 за ціною від 65.05 грн до 200.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GC11N65D5 | Goford Semiconductor |
 Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| GC11N65D5 | GOFORD Semiconductor |
N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GC11N65D5 |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.99 грн |
| 10+ | 125.06 грн |
| 50+ | 95.52 грн |
| 100+ | 80.71 грн |
| 500+ | 65.05 грн |
| GC11N65D5 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L
N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 68.68 грн |