
GC11N65D5 Goford Semiconductor

Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 181.01 грн |
10+ | 111.84 грн |
100+ | 76.40 грн |
500+ | 57.48 грн |
1000+ | 52.91 грн |
2000+ | 49.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC11N65D5 Goford Semiconductor
N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L.
Інші пропозиції GC11N65D5 за ціною від 58.59 грн до 58.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GC11N65D5 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
GC11N65D5 | Виробник : Goford Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |