
GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 583.64 грн |
10+ | 510.16 грн |
25+ | 423.75 грн |
100+ | 393.59 грн |
250+ | 375.20 грн |
500+ | 370.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 82A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GC15MPS12-220
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GC15MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GC15MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GC15MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GC15MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GC15MPS12-220 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 82A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |