GC15MPS12-220

GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor


GC15MPS12_220-2449839.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.64 грн
10+510.16 грн
25+423.75 грн
100+393.59 грн
250+375.20 грн
500+370.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 82A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GC15MPS12-220

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.