
GC15MPS12-247 GENESIC

Description: GENESIC - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 624.06 грн |
5+ | 608.42 грн |
10+ | 592.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC15MPS12-247 GENESIC
Description: GENESIC - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 66nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GC15MPS12-247 за ціною від 760.51 грн до 1281.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GC15MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
GC15MPS12-247 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
GC15MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
GC15MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |