GC180N65F Goford Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 53.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC180N65F Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 37W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Gate charge: 36nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції GC180N65F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GC180N65F | Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJ-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 37W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |